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DMN2710UT-13
Diodes Incorporated
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DMN2710UT-7
Diodes Incorporated
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DMN2710UTQ-7
Diodes Incorporated
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Canale N 20 V 870mA (Ta) 320mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-523
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DMN2710UTQ-13

Codice DigiKey
31-DMN2710UTQ-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Diodes Incorporated
Codice produttore
DMN2710UTQ-13
Descrizione
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Tempi di consegna standard del produttore
40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 20 V 870mA (Ta) 320mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-523
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Diodes Incorporated
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
870mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
1,8V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs
450mohm a 600mA, 4,5V
Vgs(th) max a Id
1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
0.6 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±6V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
42 pF @ 16 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
320mW (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
SOT-523
Contenitore/involucro
SOT-523
Codice componente base
DMN2710
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Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
10 000€ 0,05303€ 530,30
20 000€ 0,04849€ 969,80
30 000€ 0,04618€ 1 385,40
50 000€ 0,04358€ 2 179,00
70 000€ 0,04204€ 2 942,80
100 000€ 0,04069€ 4 069,00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,05303
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,06470