Name: DMN2310UT-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN2310UT-7TR-ND
Price: 0.07419 EUR
Availability: OutOfStock

DMN2310UT-7
Codice DigiKey	31-DMN2310UT-7TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN2310UT-7
Descrizione	MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 1,2 A (Ta) 290mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-523
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	1,2 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,8V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	240mohm a 300mA, 4,5V
Vgs(th) max a Id	950mV a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	0.7 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	38 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	290mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-523
Contenitore/involucro	SOT-523
Codice componente base	DMN2310

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,06081
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 0,07419

DMN2310UT-7