Name: DMN3067LW-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN3067LW-13DITR-ND
Price: 0.4758 EUR
Availability: InStock

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DMN3067LW-13
Codice DigiKey	DMN3067LW-13DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMN3067LW-13DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMN3067LW-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN3067LW-13
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 2,6 A (Ta) 500mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-323
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	2,6 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	2,5V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	67mohm a 2,5A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	4.6 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±12V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	447 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	500mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-323
Contenitore/involucro	SC-70, SOT-323
Codice componente base	DMN3067

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Nastrato in bobina (TR)