Name: DMN2019UTS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN2019UTS-13DITR-ND
Price: 0.6954 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

DMN2019UTS-13
Codice DigiKey	DMN2019UTS-13DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMN2019UTS-13DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMN2019UTS-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN2019UTS-13
Descrizione	MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8TSSOP
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 20V 5,4A 780mW A montaggio superficiale 8-TSSOP
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	DMN2019UTS-13 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	Drain comune a 2 canali N (duale)
Funzione FET	Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)	20V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	5,4A
RDSon (max) a Id, Vgs	18,5mohm a 7 A, 10V
Vgs(th) max a Id	950mV a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	8,8nC a 4,5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	143pF a 10V
Potenza - Max	780mW
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	8-TSSOP (larghezza 0,173", 4,40mm)
Contenitore del fornitore	8-TSSOP
Codice componente base	DMN2019

Domande e risposte sui prodotti

Scopri cosa chiedono gli ingegneri, poni le tue domande o aiuta un membro della comunità tecnica DigiKey

In magazzino: 17 578

Scorte di fabbrica: 7 500

Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive

Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)