Name: DMN2019UTS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN2019UTS-13DITR-ND
Price: 0.732 EUR
Availability: InStock

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DMN2019UTS-13
Codice DigiKey	DMN2019UTS-13DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMN2019UTS-13DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMN2019UTS-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN2019UTS-13
Descrizione	MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8TSSOP
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 20V 5,4A 780mW A montaggio superficiale 8-TSSOP
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	DMN2019UTS-13 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 950mV a 250µA
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 8,8nC a 4,5V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 143pF a 10V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 780mW
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione Drain comune a 2 canali N (duale)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Funzione FET Porta a livello logico	Contenitore/involucro 8-TSSOP (larghezza 0,173", 4,40mm)
Tensione drain/source (Vdss) 20V	Contenitore del fornitore 8-TSSOP
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 5,4A	Codice componente base DMN2019
RDSon (max) a Id, Vgs 18,5mohm a 7 A, 10V

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Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,60000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 0,73200

DMN2019UTS-13