Name: DMN13H750S-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN13H750S-7DITR-ND
Price: 0.9272 EUR
Availability: InStock

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DMN13H750S-7
Codice DigiKey	DMN13H750S-7DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMN13H750S-7DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMN13H750S-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN13H750S-7
Descrizione	MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 130 V 1 A (Ta) 770mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-23-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 5.6 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 231 pF @ 25 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 770mW (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 130 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 1 A (Ta)	Contenitore del fornitore SOT-23-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RDSon (max) a Id, Vgs 750mohm a 2A, 10V	Codice componente base DMN13

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,76000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 0,92720

DMN13H750S-7