DMN1032UCB4-7 Diodes Incorporated | FET, MOSFET singoli

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Nexperia USA Inc.

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DMN1032UCB4-7
Codice DigiKey	DMN1032UCB4-7DITR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN1032UCB4-7
Descrizione	MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 12 V 4,8 A (Ta) 900mW (Ta) A montaggio superficiale U-WLB1010-4

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1,2V a 250µA
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 4.5 nC @ 4.5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Vgs (max) ±8V
Stato componente Obsoleto	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 450 pF @ 6 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 900mW (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 12 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4,8 A (Ta)	Contenitore del fornitore U-WLB1010-4
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,8V, 4,5V	Contenitore/involucro 4-UFBGA, WLBGA
RDSon (max) a Id, Vgs 26mohm a 1A, 4,5V	Codice componente base DMN1032

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
PMCM6501VNEZ	Nexperia USA Inc.	0	1727-2688-1-ND	€ 0,79000	Simile

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