DMN100-7-F Diodes Incorporated | FET, MOSFET singoli

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DMN100-7-F
Codice DigiKey	DMN100-FDITR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN100-7-F
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 1,1 A (Ta) 500mW (Ta) A montaggio superficiale SC-59-3

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	1,1 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	240mohm a 1A, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	5.5 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	150 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	500mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SC-59-3
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Codice componente base	DMN100