Name: DMC3061SVTQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMC3061SVTQ-13TR-ND
Price: 0.14153 EUR
Availability: OutOfStock

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DMC3061SVTQ-13
Codice DigiKey	31-DMC3061SVTQ-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMC3061SVTQ-13
Descrizione	MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 3,4A (Ta), 2,7A (Ta) 880mW A montaggio superficiale TSOT-26
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Attivo
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	Complementare canale N e P
Funzione FET	-
Tensione drain/source (Vdss)	30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	3,4A (Ta), 2,7A (Ta)
RDSon (max) a Id, Vgs	60mohm a 3,1A, 10V, 95mohm a 2,7A, 10V
Vgs(th) max a Id	1,8V a 250µA, 2,2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	6,6nC a 10V, 6,8nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	278pF a 15V, 287pF a 15V
Potenza - Max	880mW
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Contenitore del fornitore	TSOT-26
Codice componente base	DMC3061