MOSFET - Array 100V 1,7 A (Ta) 1W (Ta) A montaggio superficiale 8-SO
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DMC10H220LSD-13

Codice DigiKey
31-DMC10H220LSD-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Diodes Incorporated
Codice produttore
DMC10H220LSD-13
Descrizione
MOSFET N/P-CH 100V 1.7A 8SO
Tempi di consegna standard del produttore
40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 100V 1,7 A (Ta) 1W (Ta) A montaggio superficiale 8-SO
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Diodes Incorporated
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
Complementare canale N e P
Funzione FET
-
Tensione drain/source (Vdss)
100V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
1,7 A (Ta)
RDSon (max) a Id, Vgs
220mohm a 1,6A, 10V, 250mohm a 1A, 10V
Vgs(th) max a Id
3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
8,3nC a 10V, 17,5nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
340pF a 50V, 1030pF a 50V
Potenza - Max
1W (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Contenitore del fornitore
8-SO
Codice componente base
DMC10
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 0,26660€ 666,50
5 000€ 0,24623€ 1 231,15
7 500€ 0,23586€ 1 768,95
12 500€ 0,23021€ 2 877,62
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,26660
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,32525