Name: BSS127SSN-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: BSS127SSN-7DITR-ND
Price: 0.5246 EUR
Availability: InStock

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BSS127SSN-7
Codice DigiKey	BSS127SSN-7DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) BSS127SSN-7DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) BSS127SSN-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	BSS127SSN-7
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 50MA SC59
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 50mA (Ta) 610mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-23-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSS127SSN-7 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4,5V a 250µA
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 1.08 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 21.8 pF @ 25 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 610mW (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 600 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 50mA (Ta)	Contenitore del fornitore SOT-23-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 5V, 10V	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RDSon (max) a Id, Vgs 160ohm a 16mA, 10V	Codice componente base BSS127

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)