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Sostituti disponibili:

Equivalente parametrico

2N7002H-7
Diodes Incorporated
In magazzino: 2 161
Prezzo unitario : € 0,20000
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Simile

2N7002 BK PBFREE
Central Semiconductor Corp
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 0,08331
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2N7002-T1-GE3
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In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 0,00000
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2N7002LT3G
onsemi
In magazzino: 14 045
Prezzo unitario : € 0,20000
Scheda tecnica
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SOT-23-3
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2N7002H-13

Codice DigiKey
2N7002H-13DI-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Diodes Incorporated
Codice produttore
2N7002H-13
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 170MA SOT23
Tempi di consegna standard del produttore
12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 60 V 170mA (Ta) 370mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-23-3
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Diodes Incorporated
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
170mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
5V
RDSon (max) a Id, Vgs
7,5ohm a 50mA, 5V
Vgs(th) max a Id
3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
0.35 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
26 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
370mW (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
SOT-23-3
Contenitore/involucro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Codice componente base
2N7002
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Disponibile su ordinazione
Scorte di fabbrica: 460 000
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
10 000€ 0,02291€ 229,10
20 000€ 0,02202€ 440,40
30 000€ 0,02159€ 647,70
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,02291
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,02795