2N7002-T1-GE3 Vishay Siliconix | Prodotti a semiconduttore discreti

2N7002-T1-GE3 è obsoleto e non è più in produzione.

Sostituti disponibili:

Consigliato dal produttore

Vishay Siliconix

In magazzino: 265 690

Prezzo unitario : € 0,43000

Diretto

onsemi

In magazzino: 126 362

Prezzo unitario : € 0,51000

Diretto

Diotec Semiconductor

In magazzino: 46 887

Prezzo unitario : € 0,13000

Simile

onsemi

In magazzino: 0

Prezzo unitario : € 0,20000

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

2N7002-T1-GE3
Codice DigiKey	2N7002-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 2N7002-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 2N7002-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	2N7002-T1-GE3
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 115mA (Ta) 200mW (Ta) A montaggio superficiale TO-236
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	2N7002-T1-GE3 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	115mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	7,5ohm a 500mA, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 250µA
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	50 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	200mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-236
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Codice componente base	2N7002