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Equivalente parametrico
Simile
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 33 166
Prezzo unitario : € 1,27000
Scheda tecnica
Simile
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 4 873
Prezzo unitario : € 3,43000
Scheda tecnica
Simile
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 1,29419
Scheda tecnica
Simile
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 8 740
Prezzo unitario : € 3,39000
Scheda tecnica
Simile
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 7 089
Prezzo unitario : € 3,14000
Scheda tecnica
Simile
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 7 157
Prezzo unitario : € 1,09000
Scheda tecnica
Equivalente parametrico
HY Electronic (Cayman) Limited, Taiwan Branch
In magazzino: 1 200
Prezzo unitario : € 0,22800
Scheda tecnica
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
HER308GT-G | |
|---|---|
Codice DigiKey | HER308GT-G-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | HER308GT-G |
Descrizione | DIODE STANDARD 1000V 3A DO27 |
Tempi di consegna standard del produttore | 32 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Diodi 1000 V 3A Foro passante DO-27 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | HER308GT-G Modelli |
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Mostra attributi vuoti
Categoria | Velocità Recupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io) |
Produttore | Tempo di recupero inverso (Trr) 75 ns |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Corrente - Dispersione inversa a Vr 5 µA @ 1000 V |
Stato componente Attivo | Tipo di montaggio |
Tecnologia | Contenitore/involucro |
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max 1000 V | Contenitore del fornitore DO-27 |
Corrente - Media rettificata (Io) 3A | Temp. di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Tensione - Diretta (Vf) max a If 1.7 V @ 3 A | Codice componente base |
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Sostituti (8)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| HER308GA-G | Comchip Technology | 0 | HER308GA-G-ND | € 0,21641 | Equivalente parametrico |
| 1N5408-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 33 166 | 1N5408-E3/54GICT-ND | € 1,27000 | Simile |
| BYM36E-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 4 873 | BYM36E-TAPGICT-ND | € 3,43000 | Simile |
| BYM36E-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | BYM36E-TR-ND | € 1,29419 | Simile |
| BYT78-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 8 740 | BYT78-TAPGICT-ND | € 3,39000 | Simile |
Disponibile su ordinazione
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 200 | € 0,21641 | € 259,69 |
| 2 400 | € 0,19718 | € 473,23 |
| 3 600 | € 0,18965 | € 682,74 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,21641 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,26402 |
