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Scheda tecnica
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli NPN 80 V 1 A 100MHz 800 mW Foro passante TO-39
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Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli NPN 80 V 1 A 100MHz 800 mW Foro passante TO-39
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

2N3019 TIN/LEAD

Codice DigiKey
1514-2N3019TIN/LEAD-ND
Produttore
Codice produttore
2N3019 TIN/LEAD
Descrizione
80V 1A 800MW TH TRANSISTOR-SMALL
Tempi di consegna standard del produttore
18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli NPN 80 V 1 A 100MHz 800 mW Foro passante TO-39
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Tipo
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Categoria
Produttore
Serie
-
Confezionamento
Scatola
Stato componente
Attivo
Tipo di transistor
Corrente - Collettore (Ic) max
1 A
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)
80 V
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic
500mV a 50mA, 500mA
Corrente - Interruzione collettore (max)
10 nA (ICBO)
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce
100 a 150mA, 10V
Potenza - Max
800 mW
Frequenza - Transizione
100MHz
Temperatura di funzionamento
-65°C ~ 200°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
Foro passante
Contenitore/involucro
TO-205AD, TO-39-3 contenitore metallico
Contenitore del fornitore
TO-39
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