Name: BSDD10G65E2
Brand: Bourns Inc.
SKU: 118-BSDD10G65E2TR-ND
Price: 4.5262 EUR
Availability: InStock

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BSDD10G65E2
Codice DigiKey	118-BSDD10G65E2TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 118-BSDD10G65E2CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 118-BSDD10G65E2DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Bourns Inc.
Codice produttore	BSDD10G65E2
Descrizione	DIODE SIL CARBIDE 650V 10A TO252
Tempi di consegna standard del produttore	27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Diodi 650 V 10A A montaggio superficiale TO-252 (DPAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Diodi Raddrizzatori Diodi singoli	Velocità Tempo di recupero zero > 500mA (Io)
Produttore Bourns Inc.	Tempo di recupero inverso (Trr) 0 ns
Serie BSD	Corrente - Dispersione inversa a Vr 50 µA @ 650 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità a Vr, F 323pF a 1V, 1MHz
Stato componente Attivo	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tecnologia SiC (Silicon Carbide) Schottky	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max 650 V	Contenitore del fornitore TO-252 (DPAK)
Corrente - Media rettificata (Io) 10A	Temp. di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 175°C
Tensione - Diretta (Vf) max a If 1.7 V @ 10 A	Codice componente base BSDD10G65

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Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2 500	€ 1,20055	€ 3 001,38
5 000	€ 1,16861	€ 5 843,05

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 3,71000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 4,52620

BSDD10G65E2