
AOB66918L | |
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Codice DigiKey | 785-AOB66918LTR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | AOB66918L |
Descrizione | N |
Tempi di consegna standard del produttore | 20 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 33A (Ta), 120A (Tc) 10W (Ta), 375W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 3,7V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 105 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6500 pF @ 50 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 10W (Ta), 375W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 100 V | Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK) |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 8V, 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 5mohm a 20A, 10V |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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| 800 | € 3,19669 | € 2 557,35 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 3,19669 |
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| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 3,89996 |

