AOB11S60L Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Prodotti a semiconduttore discreti

AOB11S60L è obsoleto e non è più in produzione.

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AOB11S60L
Codice DigiKey	785-1246-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Codice produttore	AOB11S60L
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 11A TO263
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 11 A (Tc) 178W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie	aMOS™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	11 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	399mohm a 3,8A, 10V
Vgs(th) max a Id	4,1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	11 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	545 pF @ 100 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	178W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-263 (D2PAK)
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base	AOB11