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Canale N 30 V 12,7 A (Ta) 3,1W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOIC
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AO4710

Codice DigiKey
785-1050-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
AO4710
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 12.7A 8SOIC
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 12,7 A (Ta) 3,1W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
2,3V a 250µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
43 nC @ 10 V
Serie
Vgs (max)
±12V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2376 pF @ 15 V
Stato componente
Obsoleto
Funzione FET
Diodo Schottky (body)
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
3,1W (Ta)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
8-SOIC
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
Contenitore/involucro
RDSon (max) a Id, Vgs
11,8mohm a 12,7A, 10V
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (6)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
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Obsoleto
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