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AO4710 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 785-1050-2-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | AO4710 |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 12.7A 8SOIC |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 12,7 A (Ta) 3,1W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOIC |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 2,3V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 43 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±12V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2376 pF @ 15 V |
Stato componente Obsoleto | Funzione FET Diodo Schottky (body) |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 3,1W (Ta) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 30 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore 8-SOIC |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 11,8mohm a 12,7A, 10V | Codice componente base |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| DMN3016LSS-13 | Diodes Incorporated | 0 | DMN3016LSS-13DICT-ND | € 0,81000 | Simile |
| FDS6690A | onsemi | 10 188 | FDS6690ACT-ND | € 1,10000 | Simile |
| RS3E095BNGZETB | Rohm Semiconductor | 2 446 | RS3E095BNGZETBCT-ND | € 1,26000 | Simile |
| RS3E135BNGZETB | Rohm Semiconductor | 4 783 | RS3E135BNGZETBCT-ND | € 1,46000 | Simile |
| RXH125N03TB1 | Rohm Semiconductor | 0 | RXH125N03TB1-ND | € 0,49736 | Simile |





