Canale P 12 V 9 A (Ta) 2,5W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOIC
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AO4453

Codice DigiKey
AO4453-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
AO4453
Descrizione
MOSFET P-CH 12V 9A 8SOIC
Tempi di consegna standard del produttore
20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale P 12 V 9 A (Ta) 2,5W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
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Categoria
Vgs(th) max a Id
900mV a 250µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
18 nC @ 4.5 V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Vgs (max)
±8V
Stato componente
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1370 pF @ 6 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
2,5W (Ta)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
12 V
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
8-SOIC
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
1,5V, 4,5V
Contenitore/involucro
RDSon (max) a Id, Vgs
19mohm a 9A, 4,5V
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 0,20285€ 608,55
6 000€ 0,18663€ 1 119,78
9 000€ 0,17836€ 1 605,24
15 000€ 0,16908€ 2 536,20
21 000€ 0,16358€ 3 435,18
30 000€ 0,15824€ 4 747,20
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,20285
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,24748