EPC2007 EPC | FET, MOSFET singoli

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EPC

In magazzino: 16 305

Prezzo unitario : € 2,83000

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EPC2007
Codice DigiKey	917-1015-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	EPC
Codice produttore	EPC2007
Descrizione	GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 6 A (Ta) A montaggio superficiale Stampo
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 30mohm a 6A, 5V
Produttore EPC	Vgs(th) max a Id 2,5V a 1,2mA
Serie eGaN®	Carica del gate (Qg) max a Vgs 2.8 nC @ 5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Vgs (max) +6V, -5V
Stato componente Obsoleto	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 205 pF @ 50 V
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -40°C ~ 125°C (TJ)
Tecnologia GaNFET (nitruro di gallio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore Stampo
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 6 A (Ta)	Contenitore/involucro Stampo
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 5V	Codice componente base EPC20

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
EPC2007C	EPC	16 305	917-1081-1-ND	€ 2,83000	Diretto

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