Circuito gate driver SCT2H12NZ

SCT2H12NZ di ROHM offre l'elevata tensione di rottura necessaria per gli alimentatori ausiliari in apparecchiature industriali. La perdita di conduzione è ridotta di 8 volte rispetto ai MOSFET al silicio tradizionali, contribuendo a una maggiore efficienza energetica.

Ottimizzato per alimentatori ausiliari in apparecchiature industriali

Rispetto ai MOSFET al silicio da 1500 V MOSFET utilizzati negli alimentatori ausiliari per apparecchiature industriali, SCT2H12NZ fornisce una tensione di rottura superiore (1700 V) con una resistenza nello stato On 8 volte inferiore (1,15 Ω). Inoltre, il contenitore TO-3PFM compatto mantiene la distanza di isolamento superficiale (la distanza misurata lungo la superficie del materiale isolante) richiesta dalle apparecchiature industriali. ROHM sta per lanciare anche un tipo a montaggio superficiale (TO268-2L) che fornisce la distanza di isolamento superficiale adeguata.

Migliore efficienza quando combinato con il CI dedicato di ROHM

Utilizzando questo MOSFET SiC più recente in combinazione con il CI di controllo del convertitore c.a./c.c. di ROHM (BD7682FJ-LB) progettato specificamente per il pilotaggio di MOSFET SiC sarà possibile massimizzare le prestazioni e migliorare l'efficienza anche del 6%. Allo stesso tempo viene ridotta la generazione di calore, riducendo al minimo le contromisure termiche e consentendo l'uso di componenti più piccoli.

Isolamento 3,75 k

Aggiungendo BM61M41RFV o BM61S40RFV, gli utenti potranno disporre di un gate driver con una tensione di isolamento di 3750 V_RMS, ritardo I/O di 65 ns e larghezza minima dell'impulso di ingresso di 60 ns. Dispone di funzioni di blocco di sottotensione (UVLO) e Miller Clamp.