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Eccellenti prestazioni GaN
Per la massima efficienza: HEMT CoolGaN™ e gate driver EiceDRIVER™ di Infineon
CoolGaN™, la tecnologia GaN di Infineon, non ha rivali in termini di qualità ed è supportata dalla produzione interna di Infineon per la stabilità della fornitura. I prodotti CoolGaN™ offrono i massimi di livelli di efficienza e densità di potenza del mercato e sono pertanto ideali per le applicazioni che richiedono prestazioni eccellenti. Grazie alla sua vasta esperienza e al suo know-how applicativo, Infineon fornisce soluzioni innovative per l'intero spettro, dalle soluzioni discrete a quelle di sistema altamente integrate.
Perché il GaN di Infineon?
Offerta tecnologica completa:
Si + SiC + GaN
Massimi standard di qualità:
L'HEMT GaN più affidabile del settore
Stabilità della fornitura:
Produzione interna
Copertura applicativa:
Settori industriale, consumer e automotive
Leadership in materia di proprietà intellettuale:
Oltre 650 brevetti specifici per il GaN
Competenza a livello di sistema:
Interruttore + driver + CI di controllo
Applicazioni di destinazione:
- Caricatore/adattatore
- Illuminazione
- Server
- Telecomunicazioni
- TV/monitor
- Solare
- Comandi di motori
Scegli la soluzione giusta per te: discreta o IPS.
Consulta la tabella per scoprire se per il tuo prossimo progetto hai bisogno di una soluzione discreta flessibile o di un sistema altamente integrato. L'offerta CoolGaN™ fornisce il prodotto giusto per le tue esigenze.
- Soluzioni discrete
- Soluzioni integrate
- Supporto alla progettazione
Soluzione discreta: HEMT e-mode GIT 600 V CoolGaN™ + gate driver in CI EiceDRIVER™
HEMT GIT CoolGaN™ di Infineon è una tecnologia dei transistor al nitruro di gallio ad alta efficienza per la conversione di potenza nell'intervallo di tensione fino a 600 V. Infineon ha portato alla maturità il concetto di e-mode con una produzione end-to-end in volumi elevati. La qualità pionieristica assicura gli standard più elevati e offre la soluzione più affidabile e performante tra tutti gli HEMT GaN presenti sul mercato.
Caratteristiche principali
- Alte prestazioni
- Contenitori SMD con raffreddamento sul lato superiore e inferiore
- Massima efficienza e densità di potenza
- Miglior comportamento termico nelle applicazioni
Vantaggi principali
- Soluzione unica di concetto normalmente off
- Idoneo per hard-switching e soft-switching
- Accensione e spegnimento ottimizzati
- Zero recupero inverso Qrr
- Immunità alle variazioni di RDSon
- Eccellente stabilità di Vth
- Migliori cifre di merito
- Maggiore durata comprovata
Offerta di prodotti:
| Contenitore RDSon | DSO-20-85 raffreddamento in basso |
DSO-20-87 raffreddamento in alto |
HSOF-8-3 TO-LL |
LSON-8-1 DFN 8x8 |
TSON-8-3 ThinPAK 5x6 |
|---|---|---|---|---|---|
| 70 mΩ | IGO60R070D1 | IGOT60R070D1 | IGT60R070D1 | IGLD60R070D1 | |
| 190 mΩ | IGLD60R190D1 | IGLR60R190D1 | |||
| 260 mΩ | IGLR60R260D1 | ||||
| 340 mΩ | IGLR60R340D1 |
Soluzioni di pilotaggio del gate:
Gli HEMT e-mode GIT CoolGaN™ di Infineon sono facili da pilotare. Scarica questo whitepaper per scoprire varie soluzioni di pilotaggio, dal driver standard con accoppiamento RC a un nuovo concetto di pilotaggio differenziale che utilizza gate driver in CI dedicati. Nelle topologie a semiponte, una configurazione ibrida che combina driver isolati e non isolati potrebbe essere un'alternativa interessante. Esempi di applicazioni pratiche e schemi di circuiti completano il documento.
Gate driver standard per HEMT e-mode GIT CoolGaN™
| Famiglia EiceDRIVER™ |
Codice componente | Canali di uscita | Tecnologia e classe di isolamento | Caso d'uso | Contenitore | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 2EDi | 2EDF7275F | 2 canali | Isolato | Funzionale | Pilotaggio di due GaN (semiponte, diagonale, parallelo) | DSO-16 150 mil |
| 2EDF8275F | ||||||
| 2EDF7275K | LGA-13 | |||||
| 2EDS7165H | Rinforzato | DSO-16 300 mil | ||||
| 2EDS8265H | ||||||
| 2EDR7259X | DSO-14 300 mil | |||||
| 2EDR8259X | ||||||
| 2EDB7259Y | Protezione singola | DSO-14 150 mil | ||||
| 2EDB8259Y | ||||||
| 1EDB | 1EDB7275F | 1 canale | Isolato | Protezione singola | Pilotaggio GaN high-side | DSO-8 150 mil |
| 1EDB8275F | ||||||
| 1EDN-TDI | 1EDN7550B | 1 canale | Ingressi realmente differenziali (TDI) | Non isolato | Pilotaggio GaN sorgente Kelvin low-side | SOT23 |
| 1EDN8550B | 6 pin | |||||
Gate driver in CI dedicati per HEMT e-mode GIT CoolGaN™
| Famiglia EiceDRIVER™ |
Codice componente | Canali di uscita | Tecnologia | Caso d'uso | Contenitore |
|---|---|---|---|---|---|
| 1EDi | 1EDS5663H | 1 canale | Isolato | Pilotaggio HEMT e-mode GIT CoolGaN™ low-side o high-side con perdite di conduzione inversa ridotte al minimo e "primo impulso" sicuro | DSO-16 300 mil rinforzato |
| 1EDF5673F | DSO-16 150 mil HVI funzionale | ||||
| 1EDF5673K | LGA13 5x5mm LV funzionale |
GaN integrato: semiponte e interruttore singolo a stadio di potenza integrato (IPS) CoolGaN™
Lo stadio di potenza integrato (IPS) CoolGaN™ di Infineon combina la robustezza della struttura HD-GIT (transistor a iniezione di gate a drain ibrido) con la precisa tecnologia integrata di gate driver EiceDRIVER™ di Infineon. Ciò si traduce in un ingombro fisico più compatto e in densità di potenza ed efficienza energetica maggiori, che ne fanno un'ottima alternativa ai semiconduttori al silicio. L'IPS CoolGaN™ di Infineon offre anche il vantaggio di una frequenza di commutazione più rapida e di una maggiore flessibilità di progettazione. Per gli ingegneri, questo significa sistemi più efficienti dal punto di vista energetico, implementazione semplificata e migliore utilizzo dello spazio sulla PCB.
Caratteristiche principali
- Componente costitutivo a ingresso digitale e uscita di potenza
- Comportamento di commutazione configurabile tramite applicazione
- Temporizzazione altamente precisa e stabile
- Contenitore QFN-28/21 8 x 8 mm dal profilo termico ottimizzato
Vantaggi principali
- Facile da pilotare con ingresso PWM digitale
- Distinta base del sistema contenuta
- Configurabilità del percorso del gate con anello a bassa induttanza sulla PCB
- Impostazione di tempi morti brevi per massimizzare l'efficienza del sistema
- Contenitore di dimensioni ridotte per progetti di sistemi compatti
Formazione online: Vantaggi dell'IPS CoolGaN™ per caricatori e adattatori ad alta densità
L'IPS CoolGaN™ è disponibile in configurazione di stadio di potenza a semiponte (140mΩ - 500 mΩ) o in configurazione a canale singolo (100mΩ - 270 mΩ) con gate driver dedicati in un contenitore QFN (8x8 mm) dal profilo termico ottimizzato.
Offerta di prodotti:
| Contenitore RDSon | Semiponte CoolGaN™ | Interruttore singolo IPS CoolGaN™ |
|---|---|---|
| 100 mΩ | IGI60F100A1L | |
| 140 mΩ | IGI60F1414A1L | IGI60F140A1L |
| 200 mΩ | IGI60F2020A1L | IGI60F200A1L |
| 270 mΩ | IGI60F2727A1L | IGI60F270A1L |
| 500 mΩ | IGI60F5050A1L |
Supporto alla progettazione
EVAL_1EDF_G1B_HB_GAN
Scheda di valutazione semiponte ad alta frequenza con GaN EiceDRIVER™.
EVAL_HB_GANIPS_G1
Scheda di valutazione semiponte IPS CoolGaN™ 600 V ad alta frequenza con IGI60F1414A1L.
EVAL_HB_PARALLELGAN
Valutazione della parallelizzazione di HEMT CoolGaN™ 600 V in configurazioni a semiponte per applicazioni di maggiore potenza.
Note applicative
Guida alla progettazione
White paper
Formazione online
- Come pilotare gli HEMT GIT CoolGaN™ di Infineon
- Nozioni di base dei transistor CoolGaN™ da 600 V
- Comprensione e utilizzo dei valori nominali di tensione transitoria di CoolGaN™ di Infineon
- CoolGaN™ di Infineon: nozioni di base su affidabilità e qualificazione
- Vantaggi dell'IPS CoolGaN™ per caricatori e adattatori ad alta densità
- Soluzioni per il pilotaggio di gate isolati: trasformatori di impulsi e gate driver in CI a confronto
Modello di simulazione
MV CoolGan Discretes
| Immagine | Codice produttore | Descrizione | Tipo FET | Tecnologia | Tensione drain/source (Vdss) | Quantità disponibile | Vedi i dettagli | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | IGC033S10S1XTMA1 | GANFET N-CH 100V 21A 6TDFN | Canale N | GaNFET (nitruro di gallio) | 100 V | 6668 - Immediatamente | Vedi i dettagli |
| | IGC037S12S1XTMA1 | GANFET N-CH 120V 19A 6TDFN | Canale N | GaNFET (nitruro di gallio) | 120 V | 1887 - Immediatamente | Vedi i dettagli |
|  | IGB110S101XTMA1 | GANFET N-CH 100V 9A 4TDFN | Canale N | GaNFET (nitruro di gallio) | 100 V | 2676 - Immediatamente | Vedi i dettagli |
|  | IGB070S10S1XTMA1 | GANFET N-CH 100V 13A 4TDFN | Canale N | GaNFET (nitruro di gallio) | 100 V | 2801 - Immediatamente | Vedi i dettagli |
| | IGC025S08S1XTMA1 | GANFET N-CH 80V 23A 6TDFN | Canale N | GaNFET (nitruro di gallio) | 80 V | 1987 - Immediatamente | Vedi i dettagli |
|  | IGC033S101XTMA1 | GANFET N-CH 100V 21A 6TDFN | Canale N | GaNFET (nitruro di gallio) | 100 V | 3061 - Immediatamente | Vedi i dettagli |
| | IGC019S06S1XTMA1 | GANFET N-CH 60V 27A 6TDFN | Canale N | GaNFET (nitruro di gallio) | 60 V | 2348 - Immediatamente | Vedi i dettagli |
| | IGB110S10S1XTMA1 | GANFET N-CH 100V 9A 4TDFN | Canale N | GaNFET (nitruro di gallio) | 100 V | 4496 - Immediatamente | Vedi i dettagli |
MV CoolGaN BDS
| Immagine | Codice produttore | Descrizione | Tipo FET | Tecnologia | Tensione drain/source (Vdss) | Quantità disponibile | Vedi i dettagli | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  | IGK120B041SXTSA1 | GANFET N-CH 40V 30A 16WLBGA | Canale N | GaNFET (nitruro di gallio) | 40 V | 3975 - Immediatamente | Vedi i dettagli |
| | IGK048B041SXTSA1 | GANFET N-CH 40V 53A 16WLBGA | Canale N | GaNFET (nitruro di gallio) | 40 V | 3949 - Immediatamente | Vedi i dettagli |
| | IGK080B041SXTSA1 | GANFET N-CH 40V 35A 16WLBGA | Canale N | GaNFET (nitruro di gallio) | 40 V | 0 - Immediatamente | Vedi i dettagli |
MV CoolGaN Boards
| Immagine | Codice produttore | Descrizione | Scopo principale | Uscite e tipo | Potenza - Uscita | Quantità disponibile | Vedi i dettagli | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  | REFIBC1600WGANTOBO1 | EVAL BOARD FOR IGC033S10S1 | Convertitore c.c.-c.c. | 1 uscita isolata | 1,6kW | 0 - Immediatamente | Vedi i dettagli |
|  | EVALMTR48V20AGANTOBO1 | EVAL BOARD 1EDN7126G IGC033S101 | Gestione potenza | Controller/driver motore | No | 1 - Immediatamente | Vedi i dettagli |
|  | EVAL7136U100VGANCTOBO1 | EVAL BOARD 1EDN7136U IGC033S10S1 | Gestione potenza | Driver a semiponte H (FET interno) | No | 22 - Immediatamente | Vedi i dettagli |
HV CoolGaN Discretes
| Immagine | Codice produttore | Descrizione | Tipo FET | Tecnologia | Tensione drain/source (Vdss) | Quantità disponibile | Vedi i dettagli | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  | IGLT65R055B2AUMA1 | GANFET N-CH 650V 21.8A 16SOP | Canale N | GaNFET (nitruro di gallio) | 650 V | 2908 - Immediatamente | Vedi i dettagli |
|  | IGD70R500D2SAUMA1 | GANFET N-CH 700V 3.4A T0252-3 | Canale N | GaNFET (nitruro di gallio) | 700 V | 2558 - Immediatamente | Vedi i dettagli |
| | IGD70R270D2SAUMA1 | GANFET N-CH 700V 5.8A T0252-3 | Canale N | GaNFET (nitruro di gallio) | 700 V | 2058 - Immediatamente | Vedi i dettagli |
|  | IGLT65R035D2ATMA1 | GANFET N-CH 650V 47A 16SOP | Canale N | GaNFET (nitruro di gallio) | 650 V | 283 - Immediatamente | Vedi i dettagli |
|  | IGLR70R270D2SXUMA1 | GANFET N-CH 700V 7.3A 8TDFN | Canale N | GaNFET (nitruro di gallio) | 700 V | 4015 - Immediatamente | Vedi i dettagli |
| | IGLR65R270D2XUMA1 | GANFET N-CH 650V 7.2A 8TDFN | Canale N | GaNFET (nitruro di gallio) | 650 V | 4312 - Immediatamente | Vedi i dettagli |
| | IGLR65R200D2XUMA1 | GANFET N-CH 650V 9.2A 8TDFN | Canale N | GaNFET (nitruro di gallio) | 650 V | 6625 - Immediatamente | Vedi i dettagli |
| | IGLR70R140D2SXUMA1 | GANFET N-CH 700V 13A 8TDFN | Canale N | GaNFET (nitruro di gallio) | 700 V | 4395 - Immediatamente | Vedi i dettagli |
| | IGLR65R140D2XUMA1 | GANFET N-CH 650V 13A 8TDFN | Canale N | GaNFET (nitruro di gallio) | 650 V | 4075 - Immediatamente | Vedi i dettagli |
|  | IGLD65R140D2AUMA1 | GANFET N-CH 650V 12A 8LDFN | Canale N | GaNFET (nitruro di gallio) | 650 V | 2217 - Immediatamente | Vedi i dettagli |
HV IGaN
| Immagine | Codice produttore | Descrizione | Configurazione uscita | Applicazioni | Interfaccia | Quantità disponibile | Vedi i dettagli | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  | IGI60L1111B1MXUMA1 | HV IGAN/SIPS/MONOLITH | Semiponte | Motori c.c., uso generale | PWM | 65 - Immediatamente | Vedi i dettagli |
| | IGI60L5050B1MXUMA1 | HV IGAN/SIPS/MONOLITH | Semiponte | Motori c.c., uso generale | PWM | 2945 - Immediatamente | Vedi i dettagli |
|  | IGI60L2727B1MXUMA1 | HV IGAN/SIPS/MONOLITH | Semiponte (3) | Motori c.c., convertitori c.c./c.c. | PWM | 2483 - Immediatamente | Vedi i dettagli |
|  | IGI65D1414A3MSXUMA1 | HV IGAN/SIPS/MONOLITH | Semiponte | Motori c.a., motori c.c., convertitori c.c./c.c., uso generale | - | 2925 - Immediatamente | Vedi i dettagli |
| | IGI60L1414B1MXUMA1 | IC HALF BRIDGE DRIVE | Semiponte | Motori c.c., uso generale | - | 2930 - Immediatamente | Vedi i dettagli |
HV GaN BDS
| Immagine | Codice produttore | Descrizione | Tipo FET | Tecnologia | Tensione drain/source (Vdss) | Quantità disponibile | Vedi i dettagli | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| | IGLT65R055B2AUMA1 | GANFET N-CH 650V 21.8A 16SOP | Canale N | GaNFET (nitruro di gallio) | 650 V | 2908 - Immediatamente | Vedi i dettagli |
| | IGLT65R110B2AUMA1 | GANFET N-CH 650V 14A 16SOP | Canale N | GaNFET (nitruro di gallio) | 650 V | 1533 - Immediatamente | Vedi i dettagli |
HV GaN EVAL BOARDS
| Immagine | Codice produttore | Descrizione | Tipo | Funzione | Embedded | Quantità disponibile | Vedi i dettagli | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  | EVAL2EDGANINV1KWTOBO1 | BOARD 2ED21064S06J IGT65R055D2 | Gestione potenza | Controller/driver motore | Sì, MCU | 0 - Immediatamente | Vedi i dettagli |
|  | REF3K3WHFHDPSUTOBO1 | EVAL BOARD FOR IGT65R035D2 | Convertitore c.a./c.c. | 1 uscita isolata | 3,3kW | 4 - Immediatamente | Vedi i dettagli |
Gate driver ICs for 650 V GaN HEMTs
| Immagine | Codice produttore | Descrizione | Quantità disponibile | Vedi i dettagli | |
|---|---|---|---|---|---|
|  | 1EDB7275FXUMA1 | DIGITAL ISO 3KV 1CH GT DVR DSO8 | 19713 - Immediatamente | Vedi i dettagli |
|  | 2EDB7259YXUMA1 | DGTL ISO 3KV 2CH GATE DVR DSO14 | 2057 - Immediatamente | Vedi i dettagli |
| | 2EDR7259XXUMA1 | DGTL ISO 5.7KV 2CH GT DVR DSO14 | 947 - Immediatamente | Vedi i dettagli |
|  | 2EDR8259XXUMA1 | DGTL ISO 5.7KV 2CH GT DVR DSO14 | 2136 - Immediatamente | Vedi i dettagli |
|  | 2ED21814S06JXUMA1 | IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 14SOIC | 2252 - Immediatamente | Vedi i dettagli |
|  | 2ED21834S06JXUMA1 | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC | 12084 - Immediatamente | Vedi i dettagli |
| | 2ED21844S06JXUMA1 | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC | 6455 - Immediatamente | Vedi i dettagli |
|  | 2ED2183S06FXUMA1 | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC | 12505 - Immediatamente | Vedi i dettagli |
|  | 2ED2182S06FXUMA1 | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC | 0 - Immediatamente | Vedi i dettagli |
| | 2ED2106S06FXUMA1 | IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC | 3809 - Immediatamente | Vedi i dettagli |
Recommended EiceDRIVER gate driver ICs for GaN HEMTs up to 200 V
| Immagine | Codice produttore | Descrizione | Programmabile da DigiKey | Configurazione comandata | Tipo di canale | Quantità disponibile | Vedi i dettagli | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  | 1EDN8511BXUSA1 | IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 | Non verificato | Lato inferiore | Singolo | 15805 - Immediatamente | Vedi i dettagli |
|  | 1EDN7512BXTSA1 | IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5 | Non verificato | Lato inferiore | Singolo | 0 - Immediatamente | Vedi i dettagli |
|  | 1EDN7550BXTSA1 | IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6 | Non verificato | High-side, low-side | Singolo | 2955 - Immediatamente | Vedi i dettagli |
|  | 2EDN7524GXTMA1 | IC GATE DRVR LOW-SIDE 8WSON | Non verificato | Lato inferiore | Indipendente | 7756 - Immediatamente | Vedi i dettagli |
| | 1EDN7511BXUSA1 | IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 | Non verificato | Lato inferiore | Singolo | 12035 - Immediatamente | Vedi i dettagli |
|  | 2EDN7534BXTSA1 | IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 | Non verificato | Lato inferiore | Indipendente | 5070 - Immediatamente | Vedi i dettagli |
| | 2EDN7534FXTMA1 | IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC | Non verificato | Lato inferiore | Indipendente | 3224 - Immediatamente | Vedi i dettagli |
|  | 2EDN7533BXTSA1 | IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 | Non verificato | Lato inferiore | Indipendente | 2990 - Immediatamente | Vedi i dettagli |
|  | 1EDN7512GXTMA1 | IC GATE DRVR LOW-SIDE 6WSON | Non verificato | Lato inferiore | Singolo | 4779 - Immediatamente | Vedi i dettagli |
|  | 1EDN6550BXTSA1 | IC GATE DRVR HI/LOW SIDE SOT23-6 | Non verificato | High-side, low-side | Singolo | 6413 - Immediatamente | Vedi i dettagli |
