Schede di sviluppo EPC9052/53/54

Le schede di sviluppo a modo differenziale basate su GaN di EPC possono funzionare fino a 30 MHz. Queste schede offrono ai progettisti di sistemi di alimentazione un modo intuitivo per valutare le prestazioni eccezionali dei transistor al nitruro di gallio e ottenere rapidamente i prodotti nei volumi di produzione. Queste schede di sviluppo sono progettate per applicazioni di classe E, come la ricarica wireless, ma possono essere utilizzate per qualsiasi applicazione in cui viene utilizzato un commutatore low-side. Gli esempi includono convertitori push-pull; amplificatori di classe D in modalità di corrente; interruttori bidirezionali a sorgente comune; applicazioni generiche a larghezza di impulso stretta ad alta tensione, come LiDAR; e molto altro.

Queste schede di sviluppo dispongono di FET eGaN da 200 V. Gli amplificatori sono impostati per funzionare in modo differenziale e possono essere riconfigurati per funzionare in modo a terminazione singola e includono il gate driver e il regolatore di alimentazione logica. Tutte e tre le schede hanno specifiche di preferenza comuni. Le condizioni di carico di funzionamento, compresa la configurazione, determinano la resistenza e la tensione di carico ottimali del progetto.