FET eGaN a 150 V, 200 V EPC2033/EPC2034

EPC2033 ed EPC2034 espandono la famiglia di EPC di dispositivi a "passo rilassato" caratterizzati da un passo della sfera di 1 mm.. Il passo più ampio consente il posizionamento di piste supplementari e più grandi sotto il dispositivo per una capacità di trasporto corrente elevata malgrado l'ingombro estremamente ridotto di 2,6 x 4,6 mm. Offrono una temperatura di funzionamento massima di 150 °C e capacità di impulsi di corrente di 200 A (150 V EPC2034) e 140 A (EPC2033). 

Rispetto a un MOSFET di potenza al silicio allo stato dell'arte con resistenza simile, questi prodotti sono più piccoli e hanno prestazioni di commutazione decisamente superiori. Sono ideali per applicazioni come convertitori c.c./c.c. ad alta frequenza, raddrizzamento sincrono in convertitori c.a./c.c. e c.c./c.c., comandi motore, illuminazione a LED e automazione industriale.

Per semplificare il processo di valutazione di questi FET eGaN ad alte prestazioni, è disponibile la scheda di sviluppo EPC9047 che supporta una facile valutazione "in-circuit" delle prestazioni EPC2033.Questa scheda include tutti i componenti critici che possono essere agevolmente collegati a un qualsiasi convertitore esistente.

EPC9047 è in una topologia a semiponte che misur50 x 38 mm. Contiene due FET eGaN EPC2033 mediante il gate driver UCC27611 di Texas Instruments, così come condensatori di bypass di alimentazione. La scheda contiene tutti i componenti critici e il layout per prestazioni di commutazione ottimali e ha vari punti di tastatura per facilitare il calcolo dell'efficienza e la misurazione semplice della forma d'onda.