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W949D2DBJX5E
Winbond Electronics
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 9,42396
Scheda tecnica
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SDRAM - LPDDR mobile Memoria IC 512Mbit Parallelo 200 MHz 5 ns 90-VFBGA (8x13)
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W949D2DBJX5E TR

Codice DigiKey
W949D2DBJX5ETR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Winbond Electronics
Codice produttore
W949D2DBJX5E TR
Descrizione
IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
SDRAM - LPDDR mobile Memoria IC 512Mbit Parallelo 200 MHz 5 ns 90-VFBGA (8x13)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Winbond Electronics
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Programmabile da DigiKey
Non verificato
Tipo di memoria
Volatile
Formato memoria
DRAM
Tecnologia
SDRAM - LPDDR mobile
Dimensioni memoria
512Mbit
Organizzazione della memoria
16M x 32
Interfaccia di memoria
Parallelo
Frequenza di clock
200 MHz
Durata ciclo di scrittura - Parola, pagina
15ns
Tempo di accesso
5 ns
Tensione - Alimentazione
1,7 ~ 1,95V
Temperatura di funzionamento
-25°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
90-TFBGA
Contenitore del fornitore
90-VFBGA (8x13)
Codice componente base
W949D2
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Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 8,63930€ 21 598,25
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 8,63930
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 10,53995