W66BQ6NBUAFJ Winbond Electronics | Memoria

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W66BQ6NBUAFJ
Codice DigiKey	256-W66BQ6NBUAFJ-ND
Produttore	Winbond Electronics
Codice produttore	W66BQ6NBUAFJ
Descrizione	IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	SDRAM - LPDDR4X mobile Memoria IC 2Gbit LVSTL_11 1.6 GHz 3.5 ns 200-WFBGA (10x14.5)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria	Interfaccia di memoria LVSTL_11
Produttore Winbond Electronics	Frequenza di clock 1.6 GHz
Confezionamento Vassoio	Durata ciclo di scrittura - Parola, pagina 18ns
Stato componente Obsoleto	Tempo di accesso 3.5 ns
Programmabile da DigiKey Non verificato	Tensione - Alimentazione 1,06 ~ 1,17V, 1,7 ~ 1,95V
Tipo di memoria Volatile	Temperatura di funzionamento -40°C ~ 105°C (TC)
Formato memoria DRAM	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tecnologia SDRAM - LPDDR4X mobile	Contenitore/involucro 200-WFBGA
Dimensioni memoria 2Gbit	Contenitore del fornitore 200-WFBGA (10x14.5)
Organizzazione della memoria 128M x 16	Codice componente base W66BQ6

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