SDRAM - Mobile LPDDR4 Memoria IC 1Gbit LVSTL_11 1.867 GHz 3.6 ns 200-TFBGA (10x14,5)
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SDRAM - Mobile LPDDR4 Memoria IC 1Gbit LVSTL_11 1.867 GHz 3.6 ns 200-TFBGA (10x14,5)
200-TFBGA

W66AP6NBQAGJ TR

Codice DigiKey
256-W66AP6NBQAGJTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
W66AP6NBQAGJ TR
Descrizione
IC DRAM 1GBIT LVSTL 200TFBGA
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
SDRAM - Mobile LPDDR4 Memoria IC 1Gbit LVSTL_11 1.867 GHz 3.6 ns 200-TFBGA (10x14,5)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Non per nuovi progetti
Tipo di memoria
Volatile
Formato memoria
Tecnologia
SDRAM - Mobile LPDDR4
Dimensioni memoria
Organizzazione della memoria
64M x 16
Interfaccia di memoria
LVSTL_11
Frequenza di clock
1.867 GHz
Durata ciclo di scrittura - Parola, pagina
18ns
Tempo di accesso
3.6 ns
Tensione - Alimentazione
1,06 ~ 1,17V, 1,7 ~ 1,95V
Temperatura di funzionamento
-40°C ~ 105°C (TC)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
Contenitore del fornitore
200-TFBGA (10x14,5)
Codice componente base
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Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 7,57202€ 18 930,05
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 7,57202
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 9,23786