Canale N 100 V 50 A (Tc) 125W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
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SUM70090E-GE3

Codice DigiKey
SUM70090E-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SUM70090E-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore
Codice produttore
SUM70090E-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 50A TO263
Tempi di consegna standard del produttore
33 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 100 V 50 A (Tc) 125W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SUM70090E-GE3 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
7,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
8,9mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1950 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
125W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-263 (D2PAK)
Contenitore/involucro
Codice componente base
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 2,06000€ 2,06
10€ 1,32500€ 13,25
100€ 0,90360€ 90,36
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
800€ 0,68300€ 546,40
1 600€ 0,63148€ 1 010,37
2 400€ 0,60523€ 1 452,55
4 000€ 0,57868€ 2 314,72
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 2,06000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 2,51320