Name: SUM60030E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUM60030E-GE3TR-ND
Price: 5.6364 EUR
Availability: InStock

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SUM60030E-GE3
Codice DigiKey	SUM60030E-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SUM60030E-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SUM60030E-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SUM60030E-GE3
Descrizione	MOSFET N-CH 80V 120A TO263
Tempi di consegna standard del produttore	55 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 120 A (Tc) 375W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 141 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 7910 pF @ 40 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 375W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 80 V	Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 120 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 7,5V, 10V	Codice componente base SUM60030
RDSon (max) a Id, Vgs 3,2mohm a 30A, 10V

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Sostituti (1)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
FDB86135	onsemi	1 295	FDB86135CT-ND	€ 6,82000	Simile

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 4,62000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 5,63640

SUM60030E-GE3