


SQS415ENW-T1_GE3 | |
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Codice DigiKey | SQS415ENW-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQS415ENW-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SQS415ENW-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SQS415ENW-T1_GE3 |
Descrizione | MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 40 V 16 A (Tc) 62,5W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8W |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 40 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 16,1mohm a 12A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 82 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 4825 pF @ 25 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 62,5W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® 1212-8W | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,38000 | € 1,38 |
| 10 | € 0,87600 | € 8,76 |
| 100 | € 0,58460 | € 58,46 |
| 500 | € 0,45974 | € 229,87 |
| 1 000 | € 0,41955 | € 419,55 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,36852 | € 1 105,56 |
| 6 000 | € 0,34284 | € 2 057,04 |
| 9 000 | € 0,33360 | € 3 002,40 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,38000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,68360 |




