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SQJQ900E-T1_GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SQJQ900E-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQJQ900E-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SQJQ900E-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SQJQ900E-T1_GE3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 40V 100A PPAK8X8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 40V 100 A (Tc) 75W A montaggio superficiale PowerPAK® 8 x 8 doppio |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SQJQ900E-T1_GE3 Modelli |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (doppio) | |
Funzione FET | - | |
Tensione drain/source (Vdss) | 40V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 100 A (Tc) | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 3,9mohm a 20A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 120nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 5900pF a 20V | |
Potenza - Max | 75W | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | PowerPAK® 8 x 8 doppio | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® 8 x 8 doppio | |
Codice componente base |
In magazzino: 1 980
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 2,93000 | € 2,93 |
| 10 | € 1,90600 | € 19,06 |
| 100 | € 1,32640 | € 132,64 |
| 500 | € 1,14160 | € 570,80 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 000 | € 0,93269 | € 1 865,38 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 2,93000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 3,57460 |
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