PowerPAK® SO-8 Dual
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SQJB68EP-T1_GE3

Codice DigiKey
SQJB68EP-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SQJB68EP-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
SQJB68EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
SQJB68EP-T1_GE3
Descrizione
MOSFET 2N-CH 100V 11A PPAK SO8
Tempi di consegna standard del produttore
32 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 100V 11 A (Tc) 27W A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 doppio
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SQJB68EP-T1_GE3 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali N (doppio)
Funzione FET
-
Tensione drain/source (Vdss)
100V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
11 A (Tc)
RDSon (max) a Id, Vgs
92mohm a 4A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
8nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
280pF a 25V
Potenza - Max
27W
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
PowerPAK® SO-8 doppio
Contenitore del fornitore
PowerPAK® SO-8 doppio
Codice componente base
Product Questions and Answers

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In magazzino: 6 084
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 1,30000€ 1,30
10€ 0,82100€ 8,21
100€ 0,54590€ 54,59
500€ 0,42812€ 214,06
1 000€ 0,39021€ 390,21
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 0,34205€ 1 026,15
6 000€ 0,31782€ 1 906,92
9 000€ 0,30564€ 2 750,76
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,30000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,58600