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SQJ968EP-T1_GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SQJ968EP-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQJ968EP-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) |
Produttore | |
Codice produttore | SQJ968EP-T1_GE3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 60V 23.5A PPAK SO8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 27 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 60V 23,5 A (Tc) 42W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 doppio |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SQJ968EP-T1_GE3 Modelli |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (doppio) | |
Funzione FET | - | |
Tensione drain/source (Vdss) | 60V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 23,5 A (Tc) | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 33,6mohm a 4,8A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 18,5nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 714pF a 30V | |
Potenza - Max | 42W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TA) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | PowerPAK® SO-8 doppio | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® SO-8 doppio | |
Codice componente base |
0 in magazzino
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,41000 | € 1,41 |
| 10 | € 0,89200 | € 8,92 |
| 100 | € 0,59620 | € 59,62 |
| 500 | € 0,46918 | € 234,59 |
| 1 000 | € 0,42833 | € 428,33 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,37644 | € 1 129,32 |
| 6 000 | € 0,35033 | € 2 101,98 |
| 9 000 | € 0,34203 | € 3 078,27 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,41000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,72020 |
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