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SQJ942EP-T1_GE3

Codice DigiKey
742-SQJ942EP-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
742-SQJ942EP-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
742-SQJ942EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Vishay Siliconix
Codice produttore
SQJ942EP-T1_GE3
Descrizione
MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO8
Tempi di consegna standard del produttore
27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 40V 15 A (Tc), 45 A (Tc) 17W, 48W A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SQJ942EP-T1_GE3 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali N (doppio)
Funzione FET
-
Tensione drain/source (Vdss)
40V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
15 A (Tc), 45 A (Tc)
RDSon (max) a Id, Vgs
22mohm a 7,8A, 10V, 11mohm a 10,1A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
19,7nC a 10V, 33,8nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
809pF a 20V, 1451pF a 20V
Potenza - Max
17W, 48W
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
PowerPAK® SO-8
Contenitore del fornitore
PowerPAK® SO-8
Codice componente base
SQJ942
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In magazzino: 3 000
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 1,51000€ 1,51
10€ 0,95800€ 9,58
100€ 0,64250€ 64,25
500€ 0,50722€ 253,61
1 000€ 0,46369€ 463,69
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 0,40841€ 1 225,23
6 000€ 0,38060€ 2 283,60
9 000€ 0,37625€ 3 386,25
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,51000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,84220