
SQJ940EP-T1_GE3 | |
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Codice DigiKey | SQJ940EP-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQJ940EP-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SQJ940EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SQJ940EP-T1_GE3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 27 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 40V 15 A (Ta), 18 A (Tc) 48W, 43W A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 doppio asimmetrico |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (doppio) | |
Funzione FET | Porta a livello logico | |
Tensione drain/source (Vdss) | 40V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 15 A (Ta), 18 A (Tc) | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 16mohm a 15A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 20nC a 20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 896pF a 20V | |
Potenza - Max | 48W, 43W | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | PowerPAK® SO-8 doppio | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® SO-8 doppio asimmetrico | |
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,73000 | € 1,73 |
| 10 | € 1,10100 | € 11,01 |
| 100 | € 0,74370 | € 74,37 |
| 500 | € 0,59064 | € 295,32 |
| 1 000 | € 0,55436 | € 554,36 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,45290 | € 1 358,70 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,73000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 2,11060 |




