
SQJ479EP-T1_NE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 742-SQJ479EP-T1_NE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SQJ479EP-T1_NE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SQJ479EP-T1_NE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SQJ479EP-T1_NE3 |
Descrizione | P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET |
Tempi di consegna standard del produttore | 10 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 80 V 32 A (Tc) 68W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 80 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 33mohm a 10A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 150 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 4500 pF @ 25 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 68W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® SO-8 | |
Contenitore/involucro |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 0,88000 | € 0,88 |
| 10 | € 0,63300 | € 6,33 |
| 25 | € 0,57160 | € 14,29 |
| 100 | € 0,50390 | € 50,39 |
| 250 | € 0,47152 | € 117,88 |
| 500 | € 0,45200 | € 226,00 |
| 1 000 | € 0,43594 | € 435,94 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,41611 | € 1 248,33 |
| 6 000 | € 0,40641 | € 2 438,46 |
| 9 000 | € 0,40155 | € 3 613,95 |
| 15 000 | € 0,39616 | € 5 942,40 |
| 21 000 | € 0,39302 | € 8 253,42 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,88000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,07360 |










