Name: SQJ479EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ479EP-T1_GE3TR-ND
Price: 1.9642 EUR
Availability: OutOfStock

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Vishay Siliconix

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Prezzo unitario : € 1,61000

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SQJ479EP-T1_GE3
Codice DigiKey	SQJ479EP-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQJ479EP-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SQJ479EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SQJ479EP-T1_GE3
Descrizione	MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Tempi di consegna standard del produttore	23 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 80 V 32 A (Tc) 68W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SQJ479EP-T1_GE3 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 150 nC @ 10 V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs (max) ±20V
Serie TrenchFET®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4500 pF @ 25 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 68W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canale P	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 80 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 32 A (Tc)	Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro PowerPAK® SO-8
RDSon (max) a Id, Vgs 33mohm a 10A, 10V	Codice componente base SQJ479
Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA