
SQJ411EP-T1_GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SQJ411EP-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQJ411EP-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SQJ411EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SQJ411EP-T1_GE3 |
Descrizione | MOSFET P-CH 12V 60A PPAK SO-8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 27 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 12 V 60 A (Tc) 68W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 12 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 2,5V, 4,5V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 5,8mohm a 15A, 4,5V | |
Vgs(th) max a Id | 1,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 150 nC @ 4.5 V | |
Vgs (max) | ±8V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 9100 pF @ 6 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 68W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® SO-8 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,62000 | € 1,62 |
| 10 | € 1,02800 | € 10,28 |
| 100 | € 0,69180 | € 69,18 |
| 500 | € 0,54780 | € 273,90 |
| 1 000 | € 0,50585 | € 505,85 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,44264 | € 1 327,92 |
| 6 000 | € 0,41328 | € 2 479,68 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,62000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,97640 |


