PowerPAK SO-8 Dual Asymmetric
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SQJ262EP-T1_GE3

Codice DigiKey
SQJ262EP-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SQJ262EP-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
SQJ262EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Vishay Siliconix
Codice produttore
SQJ262EP-T1_GE3
Descrizione
MOSFET 2N-CH 60V 15A PPAK SO8
Tempi di consegna standard del produttore
32 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 60V 15 A (Tc), 40 A (Tc) 27W (Tc), 48W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 doppio asimmetrico
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SQJ262EP-T1_GE3 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali N (doppio)
Funzione FET
-
Tensione drain/source (Vdss)
60V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
15 A (Tc), 40 A (Tc)
RDSon (max) a Id, Vgs
35,5mohm a 2A, 10V, 15,5mohm a 5A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
10nC a 10V, 23nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
550pF a 25V, 1260pF a 25V
Potenza - Max
27W (Tc), 48W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
PowerPAK® SO-8 doppio
Contenitore del fornitore
PowerPAK® SO-8 doppio asimmetrico
Codice componente base
SQJ262
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In magazzino: 17 744
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 1,64000€ 1,64
10€ 1,04700€ 10,47
100€ 0,70500€ 70,50
500€ 0,55858€ 279,29
1 000€ 0,51801€ 518,01
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 0,42321€ 1 269,63
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,64000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 2,00080