Name: SQ3410EV-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQ3410EV-T1_GE3TR-ND
Price: 1.2688 EUR
Availability: InStock

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SQ3410EV-T1_GE3
Codice DigiKey	SQ3410EV-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQ3410EV-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SQ3410EV-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SQ3410EV-T1_GE3
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Tempi di consegna standard del produttore	20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 8 A (Tc) 5W (Tc) A montaggio superficiale 6-TSOP
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 21 nC @ 10 V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs (max) ±20V
Serie TrenchFET®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1005 pF @ 15 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 5W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 8 A (Tc)	Contenitore del fornitore 6-TSOP
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
RDSon (max) a Id, Vgs 17,5mohm a 5A, 10V	Codice componente base SQ3410
Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA

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Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,04000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,26880

SQ3410EV-T1_GE3