Name: SQ2301ES-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQ2301ES-T1_GE3TR-ND
Price: 0.8296 EUR
Availability: InStock

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SQ2301ES-T1_GE3
Codice DigiKey	742-SQ2301ES-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SQ2301ES-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SQ2301ES-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SQ2301ES-T1_GE3
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236
Tempi di consegna standard del produttore	22 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 3,9 A (Tc) 3W (Tc) A montaggio superficiale TO-236 (SOT-23)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	3,9 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	2,5V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	120mohm a 2,8A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	8 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	425 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TA)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-236 (SOT-23)
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Codice componente base	SQ2301

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Nastrato in bobina (TR)