
SIZ710DT-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SIZ710DT-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIZ710DT-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SIZ710DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | Vishay Siliconix |
Codice produttore | SIZ710DT-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 16A 6POWERPAIR |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 20V 16 A, 35 A 27W, 48W A montaggio superficiale 6-PowerPair™ |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIZ710DT-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Obsoleto | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (semiponte) | |
Funzione FET | Porta a livello logico | |
Tensione drain/source (Vdss) | 20V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 16 A, 35 A | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 6,8mohm a 19A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,2V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 18nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 820pF a 10V | |
Potenza - Max | 27W, 48W | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 6-PowerPair™ | |
Contenitore del fornitore | 6-PowerPair™ | |
Codice componente base |

