
SISS60DN-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | 742-SISS60DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SISS60DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SISS60DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SISS60DN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 50.1/181.8A PPAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 55 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 50,1A (Ta), 181,8A (Tc) 5,1W (Ta), 65,8W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8S |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 30 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 1,31mohm a 20A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 85.5 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | +16V, -12V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 3960 pF @ 15 V | |
Funzione FET | Diodo Schottky (body) | |
Dissipazione di potenza (max) | 5,1W (Ta), 65,8W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® 1212-8S | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,88000 | € 1,88 |
| 10 | € 1,20600 | € 12,06 |
| 100 | € 0,81850 | € 81,85 |
| 500 | € 0,65278 | € 326,39 |
| 1 000 | € 0,62690 | € 626,90 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,53188 | € 1 595,64 |
| 6 000 | € 0,51218 | € 3 073,08 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,88000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 2,29360 |




