SISS5808DN-T1-GE3
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SISS5112DN-T1-GE3

Codice DigiKey
742-SISS5112DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
742-SISS5112DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
742-SISS5112DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
SISS5112DN-T1-GE3
Descrizione
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Tempi di consegna standard del produttore
33 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 100 V 11A (Ta), 40,7A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8S
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SISS5112DN-T1-GE3 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
7,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
14,9mohm a 10 A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
790 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3,7W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PowerPAK® 1212-8S
Contenitore/involucro
Codice componente base
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In magazzino: 11 441
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 1,81000€ 1,81
10€ 1,16000€ 11,60
100€ 0,78550€ 78,55
500€ 0,62526€ 312,63
1 000€ 0,59400€ 594,00
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 0,48529€ 1 455,87
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,81000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 2,20820