Name: SISS27DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISS27DN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.2932 EUR
Availability: InStock

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SISS27DN-T1-GE3
Codice DigiKey	SISS27DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SISS27DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SISS27DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SISS27DN-T1-GE3
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S
Tempi di consegna standard del produttore	15 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 30 V 50 A (Tc) 4,8W (Ta), 57W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8S
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	50 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	5,6mohm a 15A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	140 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	5250 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	4,8W (Ta), 57W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-50°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PowerPAK® 1212-8S
Contenitore/involucro	PowerPAK® 1212-8S
Codice componente base	SISS27