
SISH625DN-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SISH625DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SISH625DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SISH625DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SISH625DN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET P-CH 30V 17.3A/35A PPAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 24 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 30 V 17,3A (Ta), 35A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8SH |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 30 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 7mohm a 15A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 126 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 4427 pF @ 15 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 3,7W (Ta), 52W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® 1212-8SH | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 0,86000 | € 0,86 |
| 10 | € 0,53800 | € 5,38 |
| 100 | € 0,35090 | € 35,09 |
| 500 | € 0,27044 | € 135,22 |
| 1 000 | € 0,24450 | € 244,50 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,21154 | € 634,62 |
| 6 000 | € 0,19494 | € 1 169,64 |
| 9 000 | € 0,18649 | € 1 678,41 |
| 15 000 | € 0,17699 | € 2 654,85 |
| 21 000 | € 0,17274 | € 3 627,54 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,86000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,04920 |



