
SIS932EDN-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SIS932EDN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIS932EDN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SIS932EDN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIS932EDN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212 |
Tempi di consegna standard del produttore | 49 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 30V 6 A (Tc) 2,6W (Ta), 23W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8 doppio |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIS932EDN-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (doppio) | |
Funzione FET | - | |
Tensione drain/source (Vdss) | 30V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 6 A (Tc) | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 22mohm a 10A, 4,5V | |
Vgs(th) max a Id | 1,4V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 14nC a 4,5V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1000pF a 15V | |
Potenza - Max | 2,6W (Ta), 23W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | PowerPAK® 1212-8 doppio | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® 1212-8 doppio | |
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 0,79000 | € 0,79 |
| 10 | € 0,48800 | € 4,88 |
| 100 | € 0,31720 | € 31,72 |
| 500 | € 0,24356 | € 121,78 |
| 1 000 | € 0,21983 | € 219,83 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,18967 | € 569,01 |
| 6 000 | € 0,17448 | € 1 046,88 |
| 9 000 | € 0,16675 | € 1 500,75 |
| 15 000 | € 0,15805 | € 2 370,75 |
| 21 000 | € 0,15290 | € 3 210,90 |
| 30 000 | € 0,15178 | € 4 553,40 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,79000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,96380 |











