MOSFET - Array 30V 6 A (Tc) 2,6W (Ta), 23W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8 doppio
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SIS932EDN-T1-GE3

Codice DigiKey
SIS932EDN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SIS932EDN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
SIS932EDN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
SIS932EDN-T1-GE3
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212
Tempi di consegna standard del produttore
49 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 30V 6 A (Tc) 2,6W (Ta), 23W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8 doppio
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SIS932EDN-T1-GE3 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali N (doppio)
Funzione FET
-
Tensione drain/source (Vdss)
30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
6 A (Tc)
RDSon (max) a Id, Vgs
22mohm a 10A, 4,5V
Vgs(th) max a Id
1,4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
14nC a 4,5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1000pF a 15V
Potenza - Max
2,6W (Ta), 23W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
PowerPAK® 1212-8 doppio
Contenitore del fornitore
PowerPAK® 1212-8 doppio
Codice componente base
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In magazzino: 5 204
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 0,79000€ 0,79
10€ 0,48800€ 4,88
100€ 0,31720€ 31,72
500€ 0,24356€ 121,78
1 000€ 0,21983€ 219,83
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 0,18967€ 569,01
6 000€ 0,17448€ 1 046,88
9 000€ 0,16675€ 1 500,75
15 000€ 0,15805€ 2 370,75
21 000€ 0,15290€ 3 210,90
30 000€ 0,15178€ 4 553,40
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,79000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,96380