
SIS606BDN-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SIS606BDN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIS606BDN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SIS606BDN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIS606BDN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 9.4A/35.3A PPAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 29 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 9,4 A (Ta), 35,3 A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 100 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 7,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 17,4mohm a 10A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 30 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1470 pF @ 50 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 3,7W (Ta), 52W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® 1212-8 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,75000 | € 1,75 |
| 10 | € 1,12200 | € 11,22 |
| 100 | € 0,75840 | € 75,84 |
| 500 | € 0,60280 | € 301,40 |
| 1 000 | € 0,56823 | € 568,23 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,48920 | € 1 467,60 |
| 6 000 | € 0,46424 | € 2 785,44 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,75000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 2,13500 |











