
SIS176LDN-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | 742-SIS176LDN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SIS176LDN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SIS176LDN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIS176LDN-T1-GE3 |
Descrizione | N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE |
Tempi di consegna standard del produttore | 55 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 70 V 12,9A (Ta), 42,3A (Tc) 3,6W (Ta), 39W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 70 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 3,3V, 4,5V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 10,9mohm a 10A, 4,5V | |
Vgs(th) max a Id | 1,6V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 19 nC @ 4.5 V | |
Vgs (max) | ±12V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1660 pF @ 35 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 3,6W (Ta), 39W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® 1212-8 | |
Contenitore/involucro |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,34000 | € 1,34 |
| 10 | € 0,84300 | € 8,43 |
| 100 | € 0,56210 | € 56,21 |
| 500 | € 0,44146 | € 220,73 |
| 1 000 | € 0,40263 | € 402,63 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,35334 | € 1 060,02 |
| 6 000 | € 0,32853 | € 1 971,18 |
| 9 000 | € 0,31801 | € 2 862,09 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,34000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,63480 |










