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SIRA20BDP-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 742-SIRA20BDP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SIRA20BDP-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SIRA20BDP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIRA20BDP-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 25V 82A/335A PPAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 27 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 25 V 82A (Ta), 335A (Tc) 6,3W (Ta), 104W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 25 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
RDSon (max) a Id, Vgs | 0,58mohm a 20A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,1V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 186 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | +16V, -12V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 9950 pF @ 15 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 6,3W (Ta), 104W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® SO-8 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
In magazzino: 8 104
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,89000 | € 1,89 |
| 10 | € 1,20900 | € 12,09 |
| 100 | € 0,82080 | € 82,08 |
| 500 | € 0,65444 | € 327,22 |
| 1 000 | € 0,62769 | € 627,69 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,51282 | € 1 538,46 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,89000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 2,30580 |
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